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宏捷科技股份有限公司創立於1998年四月,位於台灣台南科學工業園區。1999年七月,發表第一片砷化鎵異質介面雙極電晶體(GaAs HBT),並已於2009年六月一日掛牌上櫃。 目前廠房Class 100無塵室的產能為每週 3,000片6吋晶片, 我們計畫在現有廠房擴充設備,每週最大產能可達4,000片。

宏捷科技股份有限公司係以製造砷化鎵異質介面雙極電晶體 (GaAs HBT),耗盡型高速電子遷移率電晶體 (D-pHEMT),整合性被動元件 (IPD) ,增強/耗盡型高速電子遷移率電晶體 (ED pHEMT), 增強/耗盡型異質接面雙載子暨假晶高速電子移動電晶體 (ED BiHEMT)為主之晶片代工廠。我們以提供高品質及準時交貨作為營運目標,以期提供最佳化的代工服務。

宏捷科技擁有高可靠度的 InGaP/GaAs HBT 製程能力,可應用於功率放大器(PA),如: 2G GSM/DCS/TD, 3G WCDMA, and 4G LTE PA之多模/多頻(MMMB)設計,及Gain Block (GB)設計; 同時,我們亦擁有高效能GaAs E/D pHEMT製程能力, 以T-Gate技術實現Switch (SW)及低噪音LNA設計,應用產品如GPS及11.ac;此外,我們正朝向單晶片高度整合設計的ED BiHEMT技術發展,未來將可應用於智慧型手機及WiFi產品。 宏捷科技的服務團隊可為您提供完整的製程設計套件(PDK),內含元件藍圖(Device Layout)規則及先進設計系統(ADS)模組之設計手冊。此外,我們的製程設計套件同時也涵蓋P-cell Library和 DRC/LVS 之功能平台(Calibre Platform)。

GaAs製造技術有別於一般的半導體製造,它需要多年的實作經驗及充份瞭解GaAs材料之特性才能作出實用之產品以及好的良率。 本團隊成員來自各GaAs相關公司,對於GaAs製造技術、元件技術、線路設計、系統應用、整合以至於成品測驗、市場需求、行銷管道、售前售後服務均有實際參與的歷練。這些傲人的技術及管理資源為公司成功的強力保證。

宏捷提供可靠的功率放大器及光電電路設計之GaAs HBT製程,經證實其所製造電晶體之平均故障時間為使用時間達100多萬小時。我們確信能提供良好的製程控管效能及高良率之產量去符合客戶所需之效能及成本。 此外,宏捷科技股份有限公司已通過ISO-9001、ISO-14001以及IATF16949之認證 ,並取得日本Green Partner之認證。製程品質及綠能環保之控管是我們最高的管理哲學。 我們將持續致力於製程之改良及成本之降低,並不斷開發新製程技術以符合客戶需求,現已成為世界級之砷化鎵 (GaAs ) 製造公司。


我們提供的技術服務與特色--
1)  最有經濟效益之主流砷化鎵製程技術。
2)  最佳良率及大量生產之製程及設備。
3)  無線通訊之元件藍圖 (Device Layout)及物質架構 (Material Structure)以期能提供高品質、低成本及最佳砷化鎵異質介面雙極電晶體(GaAs HBT)功率放大器,假型高速電子遷移率電晶體 (pHEMT)高頻,與整合性被動元件 (IPD) 之製造服務。
4)  無線通訊晶片廣泛使用於智慧型手機及無線區域網路 (WiFi) 之用途。


本公司已承租台南科學園區1.3公項土地,分兩期建廠,地址位於臺南市新市區台南科學工業園區大利一路6號,第一期已於民國八十七年在一公頃土地興建砷化鎵晶圓工廠,廠房為一層地下室停車區及一層樓廠房。第二期二樓擴建已於民國九十七年十月完成。擴建後總廠房面積為 5520M2

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