| 2025/04 | 榮獲113年度第11屆公司治理評鑑上櫃公司排名前5%佳績 | | 2025/03 | 本公司榮獲 2024外資精選台灣100強 Taiwan FINI 100 |
| 2024/11 | 本公司榮獲勞動部職業安全衛生署113年度(企業永續報告公開職業健康與安全指標主動評比)績優企業 |
| 2024/08 | 本公司重視ESG議題，已發行經確信之永續報告書並上傳官網及公開資訊觀測站。 |
| 2023/08 | 低軌衛星Ku Band頻段7GHz~15GHz HBT PA技術開發完成。 |
| 2023/03 |
HBT可靠性測試uHAST通過車規228小時要求。 |
| 2023/01 | 已具備自編財報能力。 |
| 2022/10 | SAW濾波器製程開發完成。 |
| 2022/06 | 正式成為中美矽晶製品(股)公司之子公司。 |
| 2022/03 | 可靠性測試bHAST通過192小時驗證。 |
| 2022/03 | 通過美系低軌道衛星客戶認證 (0.15um pHEMT for LNA)。 |
| 2022/02 | VCSEL應用於AR/VR產品通過客戶驗證，正式量產。 |
| 2021/12 | 0.25um ED pHEMT製程應用於WiFi 6/6E通過客戶認證，正式量產。 |
| 2021/12 | 5G N77/N79 HBT+ Bump製程通過美系客戶認證，正式量產。 |
| 2021/09 | 擴充月產能達15,000片。 |
| 2021/08 | 註銷庫藏股3仟2百萬元，變更後實收資本額為新台幣19億6仟5佰1拾6萬1仟2佰3拾元。 |
| 2021/06 | 5G N41 HBT製程通過陸系客戶認證，正式量產。 |
| 2020/08 | 辦理私募4.5億元,增資後實收股本19.97億元。 |
| 2020/03 | 現金增資1億元,增資後實收股本15.47億元。 |
| 2019/06 | 完成開發背面發光的VCSEL製程並通過客戶車規的認證。 |
| 2019/02 | 完成開發 5G (Sub-6G) 技術。 |
| 2018/10 | 完成RBA責任商業聯盟(原EICC)VAP。 |
| 2018/10 | 完成開發 0.25um ED BiHEMT PDK。 |
| 2018/09 | 完成開發 0.15um E pHEMT PDK。 |
| 2018/08 | 獲得財政部頒發績優營業人獎項。 |
| 2017/12 | IATF 16949 認證通過。 |
| 2017/12 | ISO 9001 With Year 2015 Version 認證通過。 |
| 2017/10 | 完成開發 0.25um ED pHEMT PDK。 |
| 2017/06 | 完成開發 0.25um ED pHEMT 製程技術。 |
| 2017/03 | LD VCSEL 製程技術通過客戶認證。 |
| 2016/11 | Bump 製程技術通過美系客戶認證。 |
| 2016/09 | 成為電子行業公民聯盟 (EICC) 成員。 |
| 2016/09 | 完成開發 LD VCSEL 製程技術。 |
| 2016/06 | 完成開發 HBT226/228/229 PDK。 |
| 2016/02 | 完成開發 Bump 製程技術。 |
| 2015/12 | E/D pHEMT 產品正式進入量產。 |
| 2014/12 | 產能擴充已達每週3,000片。 |
| 2013/12 | 完成開發BiHEMT 、E/D pHEMT 製程技術。 |
| 2012/03 | 完成6吋產線轉換。 |
| 2012/02 | 獲得Skyworks Solution 晶圓代工最佳供應商獎項。 |
| 2011/12 | 通過中華公司治理協會CG6006通用版公司治理制度評量認證。 |
| 2011/10 | 通過海關優質企業認證。 |
| 2011/09 | 轉換效率達40%之6 吋砷化鎵聚光型太陽能晶片出貨超過2000片。 |
| 2011/07 | 通過BiFET製程認證。 |
| 2011/04 | 6 吋晶片單月出貨量達 2000 片。 |
| 2011/01 | 完成 6 吋太陽能晶片建廠工程。 |
| 2010/09 | 完成辦公室 3 樓擴建工程。 |
| 2010/06 | pHEMT每月出貨達1300片。 |
| 2010/05 | 總出貨量每月達7000片。 |
| 2010/04 | 完成6吋產能擴充，月產能達1600片。 |
| 2010/01 | 完成太陽能製程驗證。 |
| 2009/12 | 現金增資1億元，增資後實收股本為12.39億。 |
| 2009/09 | 通過客戶 6 吋之產品驗證。 |
| 2009/06 | 6 月1 日完成掛牌上櫃。 |
| 2009/05 | 完成上櫃前新台幣 1.3 億元現金增資。 |
| 2008/12 | 全年每股盈餘新台幣1.09元。 |
| 2008/09 | 完成砷化鎵6吋晶圓產線設備安裝。 |
| 2007/05 | 完成砷化鎵4吋晶圓二期產能擴建。 |
| 2006/07 | 辦理現金增資2億，增資後實收資本額10億元。 |
| 2006/03 | 單月出貨量超過4200片。 |
| 2005/12 | 達成全年獲利目標。 |
| 2005/09 | 單月出貨量超過2700片。 |
| 2005/06 | 達成單月損益平衡。 94年1月 供應GaAs PIN Diode製程晶片。 |
| 2005/01 | 供應InP製程晶片。 |
| 2004/12 | 交貨超過三千七百萬顆PA晶片。 |
| 2004/09 | 供應pHEMT Switch製程晶片。 |
| 2004/07 | 交貨超過一千五百萬顆WLAN PA晶片。 |
| 2004/07 | 交貨超過一千萬顆手機PA晶片。 |
| 2004/05 | 完成InP第一階段計劃。 |
| 2003/12 | ISO-9001認證通過。 |
| 2003/05 | 交貨超過二百萬顆WLAN PA。 |
| 2003/01 | 交貨超過一百萬顆手機PA。 |
| 2002/11 | 獲得政府InP 研發專案補助。 |
| 2002/10 | 達到生產良率及出貨目標 - 驗證量產順利成功。 |
| 2002/07 | 開始量產正式成為美國IDM大廠之代工廠。 |
| 2002/05 | 通過美國主要客戶IDM大廠品質稽核。 |
| 2002/03 | 獲得國際IDM大廠認證通過。 |
| 2001/12 | ISO-14001認證通過。 |
| 2001/12 | 辦理新產品發表會 – InGaP/GaAs 晶片。 |
| 2001/03 | 開發出能成功使用於OC-192(光纖用)模組之InGaP/GaAs高速HBT元件製程技術。 |
| 2000/11 | ISO-9002認證通過。 |
| 2000/09 | 開發完成Backside Via製程技術。 |
| 2000/06 | 開發完成InGaP/GaAs製程技術。 |
| 2000/06 | 辦理現金增資2億元，增資後實收資本額為8億元。 |
| 2000/01 | 開發完成AlGaAs/GaAs HBT製程技術。 |
| 2000/01 | 辦理現金增資1億元，增資後實收資本額為6億元。 |
| 1999/07 | 第一片四吋GaAs HBT開發成功。 |
| 1998/12 | 經濟部核准宏捷科技股份有限公司設立登記，實收資本額5億元。 |
| 1998/10 | 經由國科會第139次指導委員會審核，獲准在台南科學工業園區設廠。 |
| 1998/04 | 於新竹開始策劃設廠事宜。 |